वाकलेल्या आणि पातळ वेफर्स हाताळण्यासाठी मेटल-बॅक्ड पोरस SiC व्हॅक्यूम चक.

सेंट.सेराच्या मेटल-आधारित सिरेमिक व्हॅक्यूम चकमध्ये सच्छिद्र सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिरेमिक थर आणि अचूकपणे मशीन केलेला मेटल बेस (ॲल्युमिनियम किंवा स्टेनलेस स्टील) यांचा संयोग असतो. सच्छिद्र SiC मटेरियल (निळा-काळा, सच्छिद्रता ३५-४०%, छिद्रांचा आकार २०-३० μm, पारगम्यता ६० ml/cm²·min) संपूर्ण वेफरच्या पृष्ठभागावर एकसमान, सौम्य व्हॅक्यूम वितरण प्रदान करते, ज्यामुळे एज मार्किंग टाळले जाते आणि पातळ (≤१०० μm) किंवा वाकलेल्या वेफर्सना नॉन-कॉन्टॅक्ट सपोर्ट देणे शक्य होते. SiC थर कमी थर्मल विस्तार (३.५×१०⁻⁶/℃), १०००°C पर्यंत थर्मल स्थिरता आणि मध्यम फ्लेक्झुरल स्ट्रेंथ (३२-३५ MPa) प्रदान करतो. मेटल बेस स्ट्रक्चरल मजबुती, थ्रेडेड छिद्रांद्वारे सुलभ माउंटिंग आणि ठिसूळ फ्रॅक्चरपासून संरक्षण प्रदान करतो. हा चक बॅकसाइड ग्राइंडिंग, डायसिंग आणि उच्च-तापमान वेफर प्रोसेसिंगसाठी आदर्श आहे, जिथे एकसमान व्हॅक्यूम आणि थर्मल सुसंगतता महत्त्वपूर्ण असते.

विनिर्देश (पुरवलेल्या सच्छिद्र SiC डेटावर आधारित):

टीप: सच्छिद्रतेमुळे घन SiC च्या तुलनेत याची वक्रता शक्ती कमी असते. धातूच्या मूळ गुणधर्मांची माहिती सिरॅमिक सारण्यांमधून घेतलेली नाही.

अनुप्रयोग:

• · पातळ वेफर्सचे (≤100 μm) मागच्या बाजूने ग्राइंडिंग करणे
• · डायसिंगसाठी वाकलेले वेफर माउंटिंग
• · उच्च-तापमानावर वेफर चकिंग (१०००°C पर्यंत)
• सच्छिद्र किंवा नाजूक पृष्ठभागांसाठी व्हॅक्यूम फिक्सिंग

उत्पादन:

सच्छिद्र SiC प्लेट (छिद्र निर्माण करणाऱ्या पदार्थांनी तयार केलेली, सिंटर्ड) → ≤१० μm सपाटपणा येईपर्यंत लॅपिंग करणे → व्हॅक्यूम पोर्ट्स आणि माउंटिंग वैशिष्ट्यांसह मशीन केलेला धातूचा बेस → इपॉक्सी बॉन्डिंग किंवा मेकॅनिकल क्लॅम्पिंग → हेलियम गळती चाचणी.

गुणवत्ता नियंत्रण:

• · SEM द्वारे सच्छिद्रता आणि छिद्रांच्या आकाराची पडताळणी केली.
• · पारगम्यता चाचणी (हवेचा प्रवाह)
• · लेझर इंटरफेरोमीटरने मोजलेली सपाटपणा
• · हेलियम गळतीचा दर <1×10⁻⁹ Pa·m³/s

खोबणी असलेल्या किंवा दाट सिरॅमिक चक्सच्या तुलनेत फायदे:

• · वेफरवर कोणतीही खूण नाही – वेगळ्या छिद्रांशिवाय एकसमान व्हॅक्यूम
• · स्वतःहून स्वच्छ होणारी छिद्रे – चोक होण्याची शक्यता कमी होते
• · वाकलेले वेफर्स हाताळते (५०० मायक्रॉन पर्यंतचा बाक)
• · धातूचा आधार ठिसूळ फ्रॅक्चर टाळतो आणि जोडणी सोपी करतो

मर्यादा:

• · कमी वाकण शक्ती (३२–३५ MPa) – आघाती भार टाळा
• · कार्यरत तापमान 1000°C (सच्छिद्र SiC) पर्यंत मर्यादित आहे, परंतु यांत्रिकरित्या घट्ट न केल्यास धातू-आधारित इपॉक्सी बंधाचे तापमान ≤200°C पर्यंत मर्यादित असते.
• · उच्च-दाबाच्या व्हॅक्यूमसाठी नाही (सच्छिद्र रचना कमाल व्हॅक्यूम फरकास मर्यादित करते)

सानुकूलन:

• · धातूचा आधार: ॲल्युमिनियम (हलके), स्टेनलेस स्टील (गंजरोधक), इन्व्हार (कमी प्रसरण)
• · बंधन: इपॉक्सी (≤२००°से) किंवा मेकॅनिकल क्लॅम्प (५००°से पर्यंत)
• · झोन व्हॅक्यूम नियंत्रणासाठी एज सीलिंग रिंग

कृपया लक्षात घ्या: सच्छिद्रतेमुळे पुरवलेली वाकण्याची ताकद (३२-३५ MPa) घन सिरॅमिक्सपेक्षा लक्षणीयरीत्या कमी आहे. कडांना तडे जाणे टाळण्यासाठी काळजीपूर्वक हाताळा.